Analysten Treffen bei Singulus .......
Geschäftsbereich Solar.....finanziert."
Habe ich da irgendetwas verpasst???
.... Bis bald.
Wenn du mit deinem Millionendepot bessere Ideen hast, wie man sein Geld anlegen kann, dann ist das schön für dich. Aber lass uns in diesem Forum einfach mit deinem unsachlichen Geschreibsel und deinen gönnerhaften Warnungen in Ruhe.
Deal, weine Dich bei Deiner BWL-Freundin aus, die ja auch hier auftaucht, und dann ist's gut. Oder habe ich Dich da verwechselt? ... Papiere von Singulus sind bei mir nach wie vor im Abgang. Bin leider mit den limitierten Kursen nicht so ganz durchgekommen. Mir sind Erfolgsgeschichten halt lieber, aber auch Verantwortung. Singulus hätte ggfs. gute Chancen, wenn der Nachrichtenfluss funktionieren würde. Also, es gibt noch Hoffnung für Uraltaktonäre und die nachkommenden. Schau mal, wie die Anleihen an der Börse notiert sind, die von SING ausgegeben wurden (noch Fragen?).
Details: http://www.as3capitalmarketblog.blogspot.com
MRAM: Industriekonsortium probiert es noch einmal
News-Meldung vom 25.11.2013 - 15:39
Zwar liefert Everspin, die ehemalige MRAM-Sparte von Freescale, seit Jahren MRAM-Speicherchips, doch die erreichen mit 16 Megabit beziehungsweise bald wohl 64 MBit gerade mal ein halbes Tausendstel dessen, was NAND-Flashes heute speichern. Und selbst SDRAM-Chips bringen es auf 8 GBit, also das 125-fache. Trotzdem verspricht ein Industriekonsortium unter Beteiligung mehrere Branchengrößen wie Micron, Renesas, dem Wafer-Hersteller Shin-Etsu und dem Materialspezialisten Tokyo Electron, bis Ende 2017 konkurrenzfähige MRAM-Chips zu entwickeln.
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Wer sonst noch im Rennen um MRAM mitmischt, ist zurzeit schwer einzuschätzen. So hatte etwa Grandis länger mit Renesas und Hynix kooperiert, war dann aber 2011 vom DRAM- und NAND-Flash-Marktführer Samsung geschluckt worden. Toshiba kooperiert mit TDK – wie zuvor schon IBM. Und Micron war 2011 mit dem A*Star Data Storage Intitute aus Singapur in eine MRAM-Kooperation eingetreten. Doch vor wenigen Wochen hat eine "IBM-Micron MRAM Alliance" in einem Fachjournal über ST-MRAM berichtet.
Quelle: http://www.heise.de/ct/meldung/...robiert-es-noch-einmal-2053493.html
Japanisch-amerikanisches Konsortium forscht an DRAM-Nachfolger MRAM
von Stefan Beiersmann am 25. November 2013, 09:38 Uhr
Mehr als 20 japanische und amerikanische Chipfirmen wollen gemeinsam Techniken für die Massenproduktion des DRAM-Nachfolgers Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) entwickeln.
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MRAM speichert Informationen im Gegensatz zu herkömmlichem DRAM mit magnetischen und nicht mit elektrischen Ladungselementen. MRAM ist nicht flüchtig, benötigt aber höhere Spannungen als DRAM, um hohe Geschwindigkeiten erzielen zu können. Nikkei zufolge kann MRAM die zehnfache Kapazität und auch die zehnfache Schreibgeschwindigkeit von DRAM erreichen. Der Energieverbrauch liege im Vergleich zu DRAM trotzdem nur bei rund einem Drittel, heißt es in dem Bericht.
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Quelle: http://www.zdnet.de/88176937/...tium-forscht-an-dram-nachfolger-mram/
Renaissance der MRAM-Chips
Daniel Pötzsch • Datum: 02.12.13 • Rubrik: Forschung & Entwicklung
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Der große Vorteil solcher Magnetoresistive Random Access Memories (MRAM) liegt in dem um rund zwei Drittel niedrigeren Stromverbrauch sowie der Unempfindlichkeit gespeicherter Daten gegenüber Stromausfällen und der sofortigen Verfügbarkeit der Daten nach dem Einschalten eines Rechners. Denn das Hochladen der gespeicherten Daten in den Arbeitsspeicher, ohne das elektrische Speicherchips nicht auskommen, entfällt hier vollständig.
Arbeitsgeschwindigkeit und Speicherkapazität verhindern bislang Durchbruch der MRAM-Module
Doch zwei grundsätzliche Probleme stehen der Etablierung der MRAM-Chips im Wege. Zum einen ist die Arbeitsgeschwindigkeit gegenüber den elektrischen Konkurrenten deutlich geringer und zusätzlich ist die Speicherkapazität stark begrenzt.
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Auch Samsung Electronics kündigte bereits eine Intensivierung der MRAM-Entwicklung an und mit Toshiba und SK Hynix besteht seit kurzem ein japanisch-südkoreanisches Bündnis, das sich ebenfalls dem Thema MRAM verschrieben hat.
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Quelle: http://www.ingenieur360.de/forschung-entwicklung/...e-der-mram-chips/
SeeYa
DieWahrheit
18.05.11 | 03:35 Uhr |
Sunnyvale, Kalifornien (ots/PRNewswire) - Crocus Technology, ein führender Entwickler von MRAM-Technologie, und RUSNANO, ein bedeutender Nanotechnologie-Investmentfonds, gaben heute den Abschluss eines Vertrags zur Gründung eines MRAM-Produktionsunternehmens bekannt. Die gemeinsame Investition beläuft sich auf 300 Millionen Dollar. Im Rahmen dieses Vertrags gründen Crocus und RUSNANO Crocus Nano Electronics (CNE), ein Unternehmen, das in Russland ein hochmodernes MRAM-Produktionswerk bauen soll, das in der Lage ist, basierend auf der Crocus-MRAM-Technologie Thermally Assisted Switching(TM)(TAS) MRAM-Produkte mit mittlerer bis hoher Speicherdichte und Lithographien von 90nm und 65nm zu fertigen.
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"Die Unternehmensführung von Crocus hat bereits in der Vergangenheit umfassend und erfolgreich mit russischen Forschern zusammengearbeitet. CNE und Crocus werden bei der Strategie RUSNANOS zum Aufbau einer auf der weltbesten Technologie aufbauenden russischen Mikroelektronikbranche eine wichtige Rolle spielen."
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Informationen über Crocus Technology
Crocus ist ein führendes Unternehmen im Bereich der Entwicklung von MRAM-Technologie (Magnetoresistive Random Access Memory) für nichtflüchtige, schnelle und skalierbare Chiplösungen mit hoher Speicherdichte für allgemeine und spezielle Anwendungen. Ihren Ursprung hat die innovative MRAM-Technologie des Unternehmens im Spintec-Labor in Grenoble, einem weltweit führenden Forschungs- und Entwicklungszentrum für Spintronik, das an die staatlichen französischen Labors CEA und CNRS angeschlossen ist. Das Unternehmen bietet eigenständige MRAM-Chips mit hoher Speicherdichte an, die auf den Einsatz in verschiedensten Anwendungen im Bereich der Telekommunikation, Networking, Speicherung, EDV und Handheld ausgelegt sind. Ausserdem bietet das Unternehmen seine Technologie unter Lizenz sowohl für Standalone- als auch für eingebettete Chipanwendungen an. Die MRAM-Technologie von Crocus ist durch ein umfassendes Patentportfolio geschützt. Besuchen Sie Crocus im Internet auf http://www.crocustechnology.com.
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Informationen über RUSNANO
RUSNANO verfolgt das Ziel, die russische Nanotech-Industrie durch Co-Investitionen in nanotechnologische Projekte mit umfangreichem wirtschaftlichem Potential oder einem gesellschaftlichen Nutzen zu fördern. RUSNANO entstand im März 2011 aus der Neuordnung des 2007 gegründeten Staatsunternehmens Russian Corporation of Nanotechnologies als offene Aktiengesellschaft
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Quelle: http://www.ad-hoc-news.de/...-technology-schliesst--/de/News/22152587
Crocus - Nanotech for Investors
Siehe -> Seite 15
http://www.nsti.org/NanoInvestor2006/slides/Crocus.pdf
From MRAM to MLU and beyond memory
Siehe -> Seite 21
http://magnetism.eu/esm/2013/slides/lombard-slides.pdf
Wir müssen uns um nichts sorgen machen
weil wir das Feuer haben, und wir so stark brennen wie nichts vergleichbares...
BurnBabyBurn
DieWahrheit
Die neueste Technologien in der Pipeline aber an Aufträgen so gut wie nix!
Einen Guten Rutsch allen Verlierern!
Rinck: Wir haben natürlich im 4. Quartal weitere Aufträge verbuchen können. Details werden aber auch erst Anfang Februar veröffentlicht. Die erfolgreiche Umsetzung unserer Unternehmensstrategie, die auch die Entwicklung von neuen Produkten beinhaltet, bietet die Basis für die Rückkehr auf einen langfristigen Wachstumspfad.
http://www.4investors.de/php_fe/index.php?sektion=stock&ID=76816
Anfang Februar ist noch ca 30 mal ins Heierbettchen gebracht zu werden von Mami.
Grüße
Wer des Lesens nicht mächtig ist und hier schreiben möchte, dem sollte man am besten alles so erklären wie einem Kind.
MFGMG
Interview mit
Florian Wessendorf, Managing Director VDMA Photovoltaic Equipment.
Auszug:
Die anziehende Nachfrage geht quer Beet. Doch vor allem bei der automatischen optischen Inspektion von Wafern- und Zellen, Tabbern und Stringern sowie weiteren optischen Inspektionssystemen sehen wir eine starke Belebung. Stark nachgefragt ist weiterhin alles, was die Kosten im Produktionsbereich weiter senkt, zum Beispiel Silber sparende Duo- und Doubleprintverfahren. Gut laufen auch Maschinen und Verfahren zu einer Steigerung der Zelleffizienz wie die PERC Technologie oder die Rückseitenpassivierung. Bei monokristallinen Zellen sehen wir ja mittlerweile einen Standard von 20 Prozent Wirkungsgrad, bei multikristallinen Zellen 18 Prozent.
http://www.pv-magazine.de/nachrichten/details/...hinterher_100013447/
Dann warten wir mal :-)