Accel News
Seite 10 von 16 Neuester Beitrag: 14.02.11 19:44 | ||||
Eröffnet am: | 22.11.07 12:02 | von: plusquamperf. | Anzahl Beiträge: | 394 |
Neuester Beitrag: | 14.02.11 19:44 | von: Monchi1080 | Leser gesamt: | 61.904 |
Forum: | Hot-Stocks | Leser heute: | 44 | |
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http://aktien.wallstreet-online.de/...ket_id=2&spid=ws&edit=1
Muß man sich mal überlegen.Gestern gut 10 Millionen Aktien gehandelt und heute noch nichts in Frankfurt.
Aber es wird auch nicht fett verkauft nein.
Wenn die Käufer von gestern halten kann es bei leichtem Interesse mächtig UP gehen.
Bin wirklich am überlegen auf 0,008 Euro nochmals nachzulegen.Habe eigentlich genug aber....
XETRA siehste ja selber 0,011 Euro.
Angeblich gibt es schon Kauforders in Frankfurt zu 0,008 Euro aber der Makler führt nicht aus.Er sammelt und dann sind auf einmal die 600.000 Aktien zu 0,008 Euro weg und das wars dann mit guenstig.
Wart mal ab.
Morgen gehts über zumindest auf 0,01 Euro und bis Freitag sehen wir auf jedenfall 0,015 Euro meiner Meinung nach.
Viel Glück uns allen.
;-)
kann ich auch.
kaufen sie jetzt +++ ACCEL-ENERGY +++
Accel steht ende des jahres mind. bei 1 Euro
der heutige einstiegskurs ist DIE gelegenheit, verpassen sie nicht den einstieg bei der neuen RAKETE
schon komisch - gestern wahnsinnsumsatz und heute gähnende leere.
Stuttgart 143.000 0,0050 € 0,011 € 174.825 120% 17:30:09
habe seit gestern in Frankfurt eine Order
200.000 zu 0,008 stehen.
wurde bis jetzt noch nicht ausgeführt?
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Berlin: Dienstag, den 19. Januar 2010 - 21:05:47 Uhr
Corporation, - Accel-RF Corporation Announces Shipment of Reliability Test Systems for GaN technology to Customers in Europe
19.01.10 | 20:18 Uhr
Accel-RF Corporation, the world leader in turn-key RF Reliability Testing Systems for Compound Semiconductor devices, today announced the successful shipment and installation of five advanced high power reliability test systems to customers in Europe, in Q4 of 2009.
Shipped to both government research and commercial entities, these systems will be instrumental in the development of Gallium Nitride devices in Europe.
?Now that we have successfully shipped and installed these leading edge systems, I am pleased to announce the acceptance of our High Power Reliability Test Systems by the compound semiconductor community to test the reliability of GaN technology in the European Union,? says Roland Shaw, President and Founder of Accel-RF. ?It is exciting for us at Accel-RF to be part of the advancement and evolution of Gallium Nitride Technology and its long term reliability,? adds Shaw.
Service and first line support of these systems will be performed by Peritest Eurl, based near Paris, France. ?As a manufacturer of advanced test equipment, Accel-RF?s technical staff will always be working with our customers,? Shaw continues, ?Peritest Eurl for sales, service, and first line support in Europe has worked well for Accel-RF, and their technical expertise is excellent.?
Accel-RF has been selling RF Reliability Systems in the US since 2004. Five systems delivered and installed in Europe in Q4 of 2009 further demonstrates our successful expansion outside of the US. ?Global expansion for complex equipment like ours has to be done carefully,? adds Shaw, ?I am proud to say that even with this major expansion effort we have maintained a very close relationship with all of our customers.?
About Accel-RF
Accel-RF Corporation is a closely-held private corporation located in San Diego, California. The company specializes in the development, design, and production of accelerated life-test/burn-in test systems for RF semiconductor devices. These systems are turn-key integrated instruments that provide a cost-effective and high-value proposition for manufacturers, fabless designers, testing-service providers, original equipment manufacturers, system integrators, and research and development laboratories requiring intrinsic reliability identification, process-control validation, specification standard-deviation characterization, and product qualification testing.
Url zum Artikel: http://www.ad-hoc-news.de/...of--/de/Unternehmensnachrichten/20877542
(Nanowerk News) Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile. Wissenschaftler des Ferdinand-Braun-Instituts entwickeln nun Leistungstransistoren aus Galliumnitrid, die robuster, schneller und effizienter sind. Leistungstransistoren sind die zentralen Bauelemente in elektrischen Leistungskonvertern, die Gleich- und Wechselstrom umwandeln und auf unterschiedliche Spannungen transformieren können. In Handyladegeräten sind sie ebenso zu finden wie in der Motoransteuerung eines ICE. Auch in der automobilen Elektronik spielen derartige Leistungskonverter eine entscheidende Rolle. Ihr Wirkungsgrad und ihre Leistungsdichte wird den Erfolg fast aller Green-Car-Konzepte zukünftiger Hybrid- und Elektroautos entscheidend mitbestimmen, denn die Leistungselektronik wird neben dem eigentlichen Elektroantrieb zur Bremsenenergierückgewinnung, für intelligente Batterieladekonzepte und das Bordnetz benötigt. Maßgebliche Entwicklungsimpulse gehen daher inzwischen von der Automobilindustrie aus.
Am FBH gefertigter selbstsperrender 25 A / 250 V GaN-Leistungstransistor, auf einem 1-Cent-Stück
Seit über 50 Jahren ist Silizium der Baustoff dieser Elektronikbauteile. Die Technologie ist mittlerweile jedoch so weit fortgeschritten, dass das Material selbst an seine Grenzen stößt. Bessere Materialeigenschaften verspricht Galliumnitrid (GaN). Im Bereich der Mikrowellentechnik werden bereits Hochfrequenzleistungstransistoren aus Galliumnitrid eingesetzt, zum Beispiel in Mobilfunkbasisstationen.
In einem laufenden und zwei beantragten Projekten will das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), gemeinsam mit Partnern aus Wissenschaft und Industrie nun neuartige Galliumnitrid-Transistoren für die Leistungselektronik entwickeln. Dabei wird die gesamte Wertschöpfungskette von der Entwicklung bis zum fertigen Produkt abgedeckt. Dr. Oliver Hilt vom FBH beschreibt sein Ziel: "Wir streben effizientere Energieumwandler an, die dann beispielsweise in Hybrid- und Elektroautos, aber auch in Photovoltaik-Anlagen eingesetzt werden."
Galliumnitrid hat gegenüber Silizium einen entscheidenden Vorteil: Es hat einen hohen Bandabstand von 3,4 Elektronenvolt gegenüber 1,1 Elektronenvolt bei Silizium. Dadurch ist es möglich, GaN-Transistoren bei höheren Temperaturen zu betreiben. Der Kühlaufwand sinkt und Gewicht und Baugröße der Leistungskonverter verringern sich. Bei einem Elektroauto zum Beispiel bedeutet dies eine deutliche Energieersparnis. Galliumnitrid hat außerdem eine höhere Durchbruchfeldstärke. Im Vergleich zu einem gleich großen Siliziumtransistor können damit größere Spannungen geschaltet werden. In der Folge treten weniger Leistungsverluste auf. Darüber hinaus sorgt eine hohe Sättigungsgeschwindigkeit der Elektronen für schnellere Schaltgeschwindigkeiten - die Konvertermodule können noch kleiner werden. Die neuen GaN-Leistungstransistoren des FBH werden mehrere 10 Ampere bei Spannungen bis 1000 Volt und mehr schalten. Insgesamt haben Leistungskonverter mit Galliumnitrid-Transistoren einen höheren Wirkungsgrad als jene mit Silizium-Transistoren. Sie sind robuster, schneller und effizienter.
"Ein wichtiges Problem haben wir schon gelöst", sagt Oliver Hilt. In der Leistungselektronik muss der Transistor aus Sicherheitsgründen vollständig ausgeschaltet sein, wenn keine Spannung an der Steuerelektrode anliegt. Einen solchen Transistor nennt man selbstsperrend. Das ist jedoch bei Galliumnitrid-Transistoren üblicherweise nicht der Fall: In der Mikrowellentechnik ist der Transistor bei null Volt Gatespannung immer noch im eingeschalteten Zustand. Man spricht von einem selbstleitenden Transistor. Um diesen Transistor auszuschalten, ist eine negative Gatespannung nötig. Die Einsatzspannung der FBH-Transistoren konnte von minus fünf Volt auf plus ein bis zwei Volt verschoben werden. "Damit sind wir ausreichend weit im positiven Bereich, um die Transistoren in der Leistungselektronik einsetzen zu können", erklärt Oliver Hilt. "Zusätzlich konnten wir den Einschaltwiderstand niedrig halten und damit gehören unsere selbstsperrenden GaN-Transistoren weltweit zu den besten."
Source: Forschungsverbund Berlin
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nichts mit Accel-Enegy zu tun hat.